




四氯化4碳與氟化1氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。對(duì)于硅和二氧化硅體系,四氟化碳公司,采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。

四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子燭刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純陽氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng),CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。


四氟化碳是一種造成溫室效應(yīng)的氣體。它非常穩(wěn)定,四氟化碳?xì)怏w價(jià)格,可以長時(shí)間停留在大氣層中,是一種非常強(qiáng)大的溫室氣體。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學(xué)鍵的鍵能及鍵長有關(guān)。零下198 °C時(shí),四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433,廣州四氟化碳, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳的密度比較高,可以填滿地面空間范圍,在不通風(fēng)的地方會(huì)導(dǎo)致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼,干燥,通風(fēng)的庫房內(nèi),嚴(yán)禁曝曬,遠(yuǎn)離熱源。


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